SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶(jing)材料的(de)(de)硬(ying)度及(ji)脆性大,且化學(xue)穩定性好,故如何獲得(de)高(gao)平面精度的(de)(de)無(wu)損傷晶(jing)片表面已(yi)成為其廣泛應用(yong)所必(bi)須解決的(de)(de)重要問題。本(ben)論(lun)文(wen)采用(yong)定向切割(ge)晶(jing)片的(de)(de)方法,分別研究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要:SiC單(dan)晶的(de)材質既硬且脆(cui),加(jia)(jia)工(gong)(gong)難度(du)(du)很大(da)。本文介紹(shao)了加(jia)(jia)工(gong)(gong)SiC單(dan)晶的(de)主要方法(fa),闡述了其加(jia)(jia)工(gong)(gong)原理、主要工(gong)(gong)藝參數對(dui)加(jia)(jia)工(gong)(gong)精度(du)(du)及效率的(de)影響,提出了加(jia)(jia)工(gong)(gong)SiC單(dan)晶片今后(hou)。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密(mi)封環表面微織構激光(guang)加工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝(yi)符(fu)永(yong)宏祖(zu)權紀敬虎楊東燕符(fu)昊摘要:采用聲光(guang)調(diao)Q二極管泵浦Nd:YAG激光(guang)器(qi),利用"單脈沖同(tong)點間隔多次"激光(guang)加工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝(yi),。
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由于SiC硬度非常高,對單晶后續的加工造成很多(duo)困(kun)難(nan),包括切割(ge)和磨拋(pao).研究(jiu)發(fa)現利用(yong)圖中顏色較深的是摻氮條紋,晶體(ti)(ti)生長45h.從上述移(yi)動坩(gan)堝萬方數據812半導(dao)體(ti)(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要(yao):SiC陶(tao)瓷(ci)以(yi)其優異(yi)的(de)性(xing)能得到廣泛的(de)應用,但(dan)是其難以(yi)加工的(de)缺點限制了應用范圍。本文對(dui)磨削方法加工SiC陶(tao)瓷(ci)的(de)工藝(yi)參(can)數進行了探討,其工藝(yi)參(can)數為組合(he):粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年(nian)10月24日-LED半導體照(zhao)明網訊日本上市公司薩姆肯(Samco)發布了新型晶片盒生產蝕(shi)刻(ke)系統(tong),處(chu)理SiC加工,型號(hao)為RIE-600iPC。系統(tong)主要應用在(zai)碳化硅功率儀器平面加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本上(shang)市(shi)公司薩姆(mu)肯(Samco)發布了新(xin)型(xing)晶片盒生產蝕刻(ke)(ke)系(xi)(xi)統(tong),處理SiC加(jia)工,型(xing)號(hao)為RIE-600iPC。系(xi)(xi)統(tong)主要應用在碳(tan)化硅功率儀器平面加(jia)工、SiCMOS結(jie)構槽刻(ke)(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面裂(lie)紋(wen)加工(gong)質量(liang)摘要:SiC是第三代半導體材料的(de)(de)核心之(zhi)一,廣(guang)泛(fan)用于(yu)制作電(dian)子器(qi)件(jian),其(qi)加工(gong)質量(liang)和精(jing)度直接影響(xiang)到器(qi)件(jian)的(de)(de)性(xing)能。SiC晶(jing)體硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采用(yong)聲光調Q二極管泵浦(pu)Nd:YAG激光器,利用(yong)“單脈(mo)沖(chong)同點(dian)間隔多次”激光加工工藝(yi),對碳化硅機械密(mi)封試(shi)(shi)樣(yang)端(duan)面進(jin)行激光表(biao)面微織(zhi)構的加工工藝(yi)試(shi)(shi)驗研究.采用(yong)Wyko-NTll00表(biao)面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條(tiao)符合-SiC的查詢結果。您可(ke)以(yi)在(zai)阿里巴(ba)巴(ba)公司(si)黃(huang)頁搜索到關于-SiC生產商的工(gong)商注冊年份、員工(gong)人數(shu)、年營業額、信用記錄、相關-SiC產品的供求信息、交易記錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
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日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石多線切割(ge)設備在SiC晶(jing)片加工中的(de)應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全(quan)文下(xia)載全(quan)文導(dao)出添(tian)加到引用通知(zhi)分享(xiang)到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月(yue)17日-SiC陶瓷與鎳(nie)基高溫合(he)金(jin)的熱(re)壓反應(ying)燒結連接段輝(hui)平李(li)樹杰張永剛劉(liu)深(shen)張艷黨(dang)紫九劉(liu)登科摘(zhai)要(yao):采用Ti-Ni-Al金(jin)屬復合(he)焊料粉末,利(li)用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀(dao)具加工(gong)SiC顆粒增(zeng)強鋁基復合(he)材料(liao)的(de)(de)公道切削(xue)速(su)度(du)〔摘要〕通過用掃描(miao)電鏡等方式檢(jian)測PCD刀(dao)具的(de)(de)性能(neng),并(bing)與(yu)自然金剛石的(de)(de)相關參數進行比較,闡明了PCD刀(dao)具的(de)(de)優異性能(neng)。
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石(shi)墨SiC/Al復合材料壓力(li)浸(jin)滲(shen)力(li)學性能(neng)加(jia)工(gong)性能(neng)關(guan)鍵(jian)詞(ci):石(shi)墨SiC/Al復合材料壓力(li)浸(jin)滲(shen)力(li)學性能(neng)加(jia)工(gong)性能(neng)分(fen)類號:TB331正(zheng)文(wen)快照:0前言siC/。
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[圖文(wen)]2012年11月29日-為了(le)(le)研究磨(mo)(mo)削工(gong)藝參數對SiC材料磨(mo)(mo)削質量(liang)的影響規律,利用DMG銑磨(mo)(mo)加工(gong)做了(le)(le)SiC陶瓷平(ping)面(mian)磨(mo)(mo)削工(gong)藝實驗,分析研究了(le)(le)包括主(zhu)軸(zhou)轉速、磨(mo)(mo)削深(shen)度(du)、進給速度(du)在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究(jiu)方(fang)向:微(wei)(wei)納(na)設計(ji)與(yu)加(jia)(jia)工技(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)術(shu)、微(wei)(wei)能源技(ji)術(shu)微(wei)(wei)納(na)設計(ji)與(yu)加(jia)(jia)工技(ji)術(shu)微(wei)(wei)納(na)米(mi)加(jia)(jia)工技(ji)術(shu):利用深刻(ke)蝕加(jia)(jia)工技(ji)術(shu),開發(fa)出適合(he)于大(da)規(gui)模(mo)加(jia)(jia)工的高(gao)精度(du)微(wei)(wei)納(na)復合(he)結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶(jing)體(ti)生長和(he)加工SiC是(shi)(shi)重要的寬禁帶半導(dao)體(ti),具有(you)高(gao)(gao)(gao)熱(re)導(dao)率、高(gao)(gao)(gao)擊穿(chuan)場強等特性和(he)優勢,是(shi)(shi)制作高(gao)(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)(gao)頻、大功率、高(gao)(gao)(gao)壓以(yi)及(ji)抗(kang)輻射電子器件的理(li)想材(cai)料(liao),在軍(jun)工、航(hang)天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單地介(jie)紹(shao)了發(fa)(fa)(fa)光二極(ji)管(guan)的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)展歷(li)程,概述了LED用SiC襯底(di)的(de)(de)超精密研(yan)磨(mo)技術的(de)(de)現狀及(ji)發(fa)(fa)(fa)展趨勢,闡述了研(yan)磨(mo)技術的(de)(de)原理、應(ying)用和優勢。同時結合實驗室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日(ri)-磨(mo)料是(shi)用于磨(mo)削(xue)加工和制做磨(mo)具的(de)一種基(ji)礎材(cai)料,普通磨(mo)料種類主要(yao)有剛玉和1891年美國卡不倫登公司的(de)E.G艾奇(qi)遜(xun)用電阻(zu)爐(lu)人(ren)工合成并發明SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦(ca)加工SiC復(fu)合層對鎂合金摩擦(ca)磨(mo)損性能的影響分(fen)享到:分(fen)享到QQ空間收藏(zang)推薦(jian)鎂合金是目前(qian)輕的金屬結構材料,具有密度(du)低、比(bi)強度(du)和比(bi)剛度(du)高、阻尼減(jian)震性。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了(le)(le)(le)半導體(ti)材料SiC拋光(guang)(guang)技(ji)(ji)術(shu)的發(fa)展(zhan),介紹了(le)(le)(le)SiC單晶片CMP技(ji)(ji)術(shu)的研究現狀,分析了(le)(le)(le)CMP的原理(li)和工藝參數對拋光(guang)(guang)的影響,指出了(le)(le)(le)SiC單晶片CMP急(ji)待解決的技(ji)(ji)術(shu)和理(li)論問(wen)題(ti),并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)在國(guo)內率(lv)先完成1.3m深焦比輕質非球(qiu)面(mian)反(fan)射(she)鏡的研(yan)(yan)究工(gong)(gong)作(zuo),減重比達到65%,加工(gong)(gong)精度優于17nmRMS;2007年(nian)研(yan)(yan)制成功1.1m傳輸型(xing)詳查相機SiC材(cai)料離軸非球(qiu)面(mian)主鏡,加工(gong)(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日(ri)-近(jin)日(ri),三菱電機宣(xuan)布,開(kai)發(fa)出了能夠一次(ci)將一塊多晶碳(tan)化硅(SiC)錠(ding)切(qie)割(ge)(ge)成(cheng)40片SiC晶片的多點放電線切(qie)割(ge)(ge)技術。據悉(xi),該技術有望提高SiC晶片加工(gong)的生產效(xiao)率,。
SiC晶體生長和加工
加工(gong)圓(yuan)孔(kong)(kong)孔(kong)(kong)徑(jing)范圍(wei):200微(wei)米—1500微(wei)米;孔(kong)(kong)徑(jing)精度(du):≤2%孔(kong)(kong)徑(jing);深寬/孔(kong)(kong)徑(jing)比:≥20:1(3)飛秒激(ji)光數控機床的微(wei)孔(kong)(kong)加工(gong)工(gong)藝:解決戰略(lve)型CMC-SiC耐(nai)高溫(wen)材料(liao)微(wei)孔(kong)(kong)(直(zhi)徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝市車(che)船(chuan)機電(dian)(dian)有限公司(si)csic衛輝市車(che)船(chuan)機電(dian)(dian)有限公司(si)是(shi)(shi)中國船(chuan)舶重工集團公司(si)聯營(ying)是(shi)(shi)否提(ti)供加工/定(ding)制服務:是(shi)(shi)公司(si)成立時間:1998年公司(si)注冊(ce)地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激光(guang)加(jia)工激光(guang)熔(rong)覆陶瓷(ci)涂層(ceng)耐腐蝕(shi)性極化曲線(xian)關鍵字:激光(guang)加(jia)工激光(guang)熔(rong)覆陶瓷(ci)涂層(ceng)耐腐蝕(shi)性極化曲線(xian)采用激光(guang)熔(rong)覆技(ji)術(shu),在45鋼表面(mian)對(dui)含量不同的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研(yan)發(fa)了SiC晶(jing)片(pian)加工(gong)工(gong)藝(yi):選(xuan)取適當(dang)種類、粒度(du)、級配(pei)的(de)磨料和(he)加工(gong)設備來(lai)切割、研(yan)磨、拋(pao)光、清洗(xi)和(he)封裝的(de)工(gong)藝(yi),使產(chan)品達(da)到了“即開即用”的(de)水準。圖7:SiC晶(jing)片(pian)。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離(li)軸非球(qiu)面SiC反射鏡的精密銑磨(mo)加工技術,張志(zhi)宇(yu);李(li)銳鋼(gang);鄭立功;張學軍;-機械工程(cheng)學報2013年第(di)17期在(zai)線(xian)閱讀、文章下(xia)載。<正;0前言1環繞地球(qiu)軌道運(yun)行的空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日(ri)-加工(gong)(gong)(gong)電流(liu)非(fei)常小(xiao),Ie=1A,加工(gong)(gong)(gong)電壓(ya)為170V時(shi),SiC是加工(gong)(gong)(gong)的,當(dang)Ti=500μs時(shi),Vw=0.6mm3/min。另(ling)外,Iwanek還得出(chu)了“臨界電火花(hua)加工(gong)(gong)(gong)限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范圍:陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)軸承(cheng);陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)噴嘴;sic密(mi)封件(jian);陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)球;sic軸套;陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)生產加工機械(xie);軸承(cheng);機械(xie)零部件(jian)加工;密(mi)封件(jian);陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)(ci)加工;噴嘴;噴頭;行業類別:計算機產品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此,本文對IAD-Si膜層(ceng)的微觀結(jie)構(gou)、表面形(xing)貌及抗熱振蕩性(xing)能(neng)進(jin)行(xing)了研究(jiu),這不僅(jin)對IAD-Si表面加工具有指導意(yi)義,也(ye)能(neng)進(jin)一(yi)步證明RB-SiC反射鏡表面IAD-Si改性(xing)技術(shu)的。