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碳(tan)化硅生產工(gong)藝石油焦(jiao)流(liu)化床微(wei)晶碳(tan)化硅電(dian)極電(dian)爐晶體形貌(mao)流(liu)態化方法加工(gong)工(gong)藝。
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大(da)直徑碳化硅(gui)晶體(ti)生長(chang)工藝及設備技(ji)術編號:TEC00011700號:所(suo)屬行業(ye):冶金[該行業(ye)投(tou)(tou)資(zi)商]成熟度:構思階段投(tou)(tou)資(zi)額度:面議轉讓(rang)方式:面議轉讓(rang)費:面議我。
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供應碳(tan)化硅微(wei)粉專(zhuan)用生產設備(圖(tu))是由(you)四川巨子超(chao)微(wei)科(ke)技有限公司(si)(si)提(ti)供,我公司(si)(si)專(zhuan)為碳(tan)化硅設計的(de)專(zhuan)用加工設備,由(you)雷蒙磨加上氣流分級機組成。一次可出1-5個(ge)合格。
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冶(ye)煉工(gong)藝(yi)方(fang)法及設備技術1766項4盤X變功率送電冶(ye)煉碳化(hua)硅的方(fang)法194CN00116109.1V<sub;2</sub;O<sub;3</sub;電鋁(lv)熱法冶(ye)煉FeV<sub;80</sub;工(gong)藝(yi)195CN。
半導體碳化硅工藝流程技術專題-具有碳化硅-半導體工藝設備的襯套-
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產品供(gong)應碳(tan)化硅(gui)干燥(zao)生產設備(bei)_碳(tan)化硅(gui)閃蒸(zheng)干燥(zao)機公(gong)司名稱(cheng):常州市易度干燥(zao)設備(bei)有限(xian)公(gong)司VIP發布日(ri)期:2014-09-29有效期限(xian):30天(tian)。
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為了(le)滿足碳化(hua)硅材料(liao)部(bu)件工(gong)程項目需求,開展(zhan)了(le)SiC材料(liao)零件機械加工(gong)工(gong)藝性(xing)能的(de)研究。首先分析了(le)材料(liao)性(xing)能,接著根據碳化(hua)硅材料(liao)性(xing)能,開展(zhan)了(le)磨(mo)削工(gong)藝、數控加工(gong)、線切割及超聲波。
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9、3年以(yi)上碳化硅晶體生長工藝制(zhi)(zhi)定和(he)操作經(jing)(jing)驗(yan),具有工廠生產和(he)管理(li)經(jing)(jing)驗(yan)者優先(xian)。二、崗位職責:1、根據設備(bei)狀況制(zhi)(zhi)定工藝實驗(yan)并(bing)實施;2、對(dui)操作人員進行(xing)管理(li),確保實驗(yan)順利。
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微波(bo)碳化(hua)硅烘(hong)干(gan)設備(bei)是(shi)我公(gong)司研(yan)發、生(sheng)產的化(hua)工(gong)烘(hong)干(gan)設備(bei)之一(yi)(yi)。其具有烘(hong)干(gan)速度快(kuai)(一(yi)(yi)般幾分鐘可完成烘(hong)干(gan)過程)、時間短、實現流水(shui)化(hua)。
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有(you)(you)研究者以Al2O3為添加劑,通過熱壓燒結(jie)工藝,也實現了碳(tan)化硅的(de)致密化,并(bing)認為其機(ji)理是液相燒結(jie)。此外,還有(you)(you)研究者分別以B4C、B或B與(yu)C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3。
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2008年12月29日(ri)-西安理工大學承擔(dan)的陜西重大科(ke)技創新項目(mu)“大直(zhi)徑碳(tan)化硅晶(jing)體生長工藝及設備(2005ZKC05-02)”于2008年12月24日(ri)通(tong)過(guo)驗收(shou)。由陜西省科(ke)學技術廳會(hui)同省。
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2006年7月(yue)6日-西安理工大學電子工程系陳(chen)治明教授承(cheng)擔(dan)的陜西省重大科(ke)技創新項目(mu)“大直(zhi)徑碳化硅晶體生長工藝及設備”進展順(shun)利(li),目(mu)前已用(yong)該課題組(zu)自行研制、具有(you)自主知識產權。
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碳化硅微(wei)粉(fen)1200-1500號主要用來太陽能單晶硅片的切割(ge)介質,但(dan)是碳化硅微(wei)粉(fen)加工設備(bei),始終存在一(yi)些不可攻克的難題,例如高磨損,高噪音(yin)等,目前市場上碳化硅微(wei)粉(fen)加工設備(bei)主要。
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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”
[摘要]一種制造單晶碳(tan)化硅薄膜的(de)設備,包括適于(yu)(yu)接受(shou)成膜用的(de)SOI基(ji)材100的(de)成膜利用本發(fa)明的(de)方(fang)法制備碳(tan)化硅納米棒(bang),其工藝(yi)實施簡單、易(yi)于(yu)(yu)大批(pi)量生產、制備溫度低。
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碳化硅(gui)微(wei)粉(fen)生產工藝流(liu)程、碳化硅(gui)微(wei)粉(fen)設備(bei)生產廠家,碳化硅(gui)微(wei)粉(fen)1200-1500號(hao)主要用來太(tai)陽能單晶硅(gui)片的(de)切割介質(zhi),但(dan)是(shi)碳化硅(gui)微(wei)粉(fen)加工設備(bei),始(shi)終(zhong)存在(zai)一些不可攻克的(de)難題(ti),例如高。
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2011年6月14日-適合于采用(yong)“新料法(fa)”生產工藝冶煉碳(tan)化(hua)(hua)硅。但(dan)是,太西煤灰分較高,一般在57、選(xuan)用(yong)低“鐵污染”破碎設備進(jin)行加工碳(tan)化(hua)(hua)硅作為產品銷售時,要對(dui)碳(tan)化(hua)(hua)硅。