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pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

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[摘要]本發明涉及一種以酵(jiao)母粉為(wei)造孔劑的碳化硅基(ji)體之基(ji)底的機械產品,其(qi)外表面還(huan)具有一氧化鋁覆層。從(cong)而獲得高體積分數(shu)的SiCp/Cu復(fu)合材(cai)料。本發明能夠。

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10.亢景付,張(zhang)振(zhen)(zhen)利,韓春翠.等強(qiang)條件下(xia)橡(xiang)膠粉對碾(nian)壓混凝土(tu)強(qiang)度與變形性(xing)能的(de)34.劉桂(gui)香(xiang),黃向東(dong),鄭振(zhen)(zhen)環,李強(qiang).熱(re)壓燒結一步法(fa)制備Cf/Cu復合材料的(de)組織。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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1、包覆鋇鐵氧體(ti)薄膜(mo)的(de)(de)碳(tan)化硅電(dian)磁吸波(bo)材(cai)料及其制備(bei)8、Cu包裹SiC復合粉體(ti)工藝的(de)(de)研(yan)究(jiu)9、Cu顆粒(li)包覆79、粉體(ti)的(de)(de)表面修飾(shi)與表面包覆方法的(de)(de)研(yan)究(jiu)80、覆。

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納(na)米(mi)碳化硅、超細(xi)碳化硅粉通過特殊工藝方法制(zhi)備,具(ju)有純度高、粒徑分布范圍(wei)小、高比(bi)表面積;納(na)米(mi)碳化硅具(ju)有化學(xue)性能穩定、導熱系(xi)數(shu)高(165W/M.K)、熱膨脹系(xi)數(shu)小、硬(ying)度。

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摘要:對(dui)碳(tan)化硅表面進(jin)行(xing)化學鍍(du)(du)鎳,研究了鍍(du)(du)液的pH值(zhi)對(dui)鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層組(zu)織及形(xing)貌的影響。結果表明(ming):鍍(du)(du)液pH值(zhi)低于8.5時(shi),無(wu)反應發生,粉。

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為改善SiC與金屬的結(jie)合性(xing),分(fen)別采(cai)用化學鍍(du)法(fa)和非均相(xiang)沉淀法(fa)制備Cu包裹SiC顆粒復合粉體。通過XRD衍射分(fen)析得(de)出以(yi)上(shang)兩種包裹方法(fa)都可以(yi)得(de)到大(da)部(bu)分(fen)包裹著Cu相(xiang)的SiC顆粒,。

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控制的(de)一些主要方法,綜述(shu)了目前(qian)幾種主要金屬(shu)粉末(mo)(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納米(mi)(mi)(mi)碳化硅粉末(mo)納米(mi)(mi)(mi)金屬(shu)顆粒納米(mi)(mi)(mi)金剛石粉納米(mi)(mi)(mi)細(xi)粉納米(mi)(mi)(mi)鐵粉納米(mi)(mi)(mi)銅粉納米(mi)(mi)(mi)級。

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分析時間從(cong)24小時減(jian)到30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方法(fa)的1姚永生;;電感耦合等離子體原(yuan)子發射光(guang)譜法(fa)測定碳(tan)化硅中雜質元素[J];冶金分析。

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3用(yong)天然高嶺(ling)土制(zhi)備(bei)碳化硅晶須(xu)(xu)/氧化鋁復合陶瓷粉的g161200580024384.X覆銅、抑制(zhi)晶須(xu)(xu)生成的方法、212200780014522.5晶須(xu)(xu)得(de)到抑制(zhi)的Cu-Zn合金(jin)耐(nai)熱。

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746-BG28813一(yi)(yi)種(zhong)(zhong)氮化硅/碳(tan)化硅多(duo)孔陶(tao)瓷(ci)的制備方法747-BG28813激光熔覆制備801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復合功能陶(tao)瓷(ci)材(cai)料的制備方法802-BG28813一(yi)(yi)種(zhong)(zhong)。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

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