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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日(ri)-這一(yi)項目采用碳化(hua)硅單(dan)結晶加工物做為粉(fen)碎(sui)介質、應(ying)用水流粉(fen)碎(sui)機、粉(fen)碎(sui)工程內分級和酸堿(jian)洗(xi)凈技術,開發(fa)出(chu)了純(chun)度高、雜質含(han)量(liang)低的超細碳化(hua)硅微粒,并打入(ru)了。

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但是由(you)于普通(tong)RBSC陶(tao)瓷的(de)原料雜質含量高、粒徑分布寬及成(cheng)型工藝和燒結工藝的(de)多樣化超細碳化硅微粉的(de)制備及反應燒結碳化硅性能的(de)研(yan)究文檔分類(lei)論文-。

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碳化硅_百度百科

本發明涉(she)及一種應用X射線熒光光譜法(fa)檢測碳(tan)化(hua)(hua)硅雜質含量的方法(fa),其步驟如下:1、制備(bei)測試樣片;2、制備(bei)標準(zhun)樣片:①提純碳(tan)化(hua)(hua)硅的制樣;②碳(tan)化(hua)(hua)硅提純,制備(bei)出純品碳(tan)化(hua)(hua)硅;③。

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反(fan)應(ying)燒結超細SiC原位凝固/干壓成(cheng)型(xing)碳(tan)密度顯微(wei)結構力學性(xing)能但(dan)是由(you)于普通RBSC陶瓷的(de)原料(liao)雜質含量高、粒(li)徑分布(bu)1尹長霞;超細碳(tan)化硅(gui)微(wei)粉的(de)制備及反(fan)應(ying)燒結碳(tan)化硅(gui)。

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納米碳化硅粉體(ST-C-001)納米碳化硅粉體碳化硅超細微粉(GCQL100)參數指標(biao):純度:;99%,總含氧量:<0.9%游(you)離硅:<0.2%金屬雜質含量:400。

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(編(bian)號(hao):WND1109723-0059-0005)一種高純超細(xi)碳化硅(gui)*粉回收提純分級技術(shu)[技術(shu)摘要(編(bian)號(hao):WND1109723-0068-0007)應用X射線(xian)熒光(guang)光(guang)譜(pu)法檢測碳化硅(gui)雜質含量的(de)方法(。

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2011年6月13日(ri)-提(ti)(ti)高產品質(zhi)量,減(jian)少碳(tan)化硅(gui)產品中的雜(za)質(zhi)成(cheng)份(fen)含量。提(ti)(ti)高碳(tan)化硅(gui)產品的純(chun)度(du)、的晶體在破(po)碎時,因強度(du)低,韌(ren)性(xing)差,受外力作用首(shou)先被粉(fen)碎成(cheng)粉(fen)狀顆(ke)粒或超細(xi)。

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2013年4月3日-有(you)的(de)工廠(chang)采用(yong)低檔原料如(ru)鐵(tie)質(zhi)(zhi)砂、沉淀(dian)池和收(shou)塵裝置收(shou)集(ji)的(de)碳化(hua)硅(gui)細粉(fen)來制(zhi)造(zao)微粉(fen),這也(ye)是可(ke)行(xing)的(de)方(fang)法,且(qie)可(ke)以降(jiang)低制(zhi)造(zao)成本。但這些原料雜質(zhi)(zhi)含量多,因而必須。

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加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結晶碳(tan)化(hua)硅制(zhi)品專用碳(tan)化(hua)硅粒度砂生(sheng)產(chan)方(fang)(fang)法(fa)(fa)7、碳(tan)化(hua)硅超細微粉及其(qi)生(sheng)產(chan)方(fang)(fang)法(fa)(fa)8、亞47、應用X射線(xian)熒光(guang)(guang)光(guang)(guang)譜法(fa)(fa)檢測(ce)碳(tan)化(hua)硅雜質含量的方(fang)(fang)法(fa)(fa)48、連(lian)續(xu)碳(tan)化(hua)硅纖維制(zhi)造用油劑。

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碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日(ri)-841CN200810050205.5一種高純(chun)(chun)超細碳化硅(gui)微粉回收(shou)提(ti)純(chun)(chun)分(fen)級技術842CN990CN200910228151.1應用(yong)X射線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢(jian)測碳化硅(gui)雜質含量的方法(fa)991CN。

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新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱(re)分解溫度(du)降低在(zai)宏(hong)觀上(shang)可能(neng)是(shi)由(you)于雜質(zhi)在(zai)本(ben)體溶液中的依(yi)數性熱(re)力學效(xiao)應所導致。通過掃描電鏡(jing)分析發現,當納米碳化(hua)硅SiC含量為1%時,晶(jing)胞尺寸增大到了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金剛(gang)砂(金剛(gang)沙)純(chun)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)是(shi)無(wu)色透明的晶體。工(gong)業碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)因(yin)所(suo)含(han)雜質(zhi)的種類和含(han)量不同,而呈淺黃、綠、藍乃06-19批發零售碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉(價(jia)格優(you)惠)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉黑(hei)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年12月28日-碳化硅冶煉時的(de)分(fen)解過(guo)程(cheng),實(shi)質上(shang)是(shi)產品(pin)的(de)凈化過(guo)程(cheng)。分(fen)解過(guo)程(cheng)次數越多,產品(pin)凈化程(cheng)度充分(fen),凈化程(cheng)度越徹底,終的(de)產品(pin)越純凈,產品(pin)中雜質含量越少(shao),其韌性。

碳化硅的純度問題

其中,雜質少(shao)的呈綠色,雜質多的呈黑色。2、化(hua)在高(gao)溫下發生反應,由(you)此制備(bei)納米級(ji)的β-碳化(hua)硅超(chao)細粉(fen)氧含(han)量(liang)高(gao)低,通常C的添(tian)加量(liang)與碳化(hua)硅粉(fen)料中的氧含(han)量(liang)。

廣州研磨材料|廣州研磨材料價格-廣州去114網

如碲化(hua)鉛(qian)(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫(liu)化(hua)鉛(qian)(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等(deng)(deng)。與金(jin)屬(shu)材料不同,半導(dao)體(ti)中雜(za)質(zhi)含量和外界條件的(de)改變(bian)(如溫(wen)度變(bian)化(hua)、受光照射(she)等(deng)(deng)),都會使半導(dao)體(ti)的(de)。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純(chun)碳(tan)化硅是無色透明(ming)的晶(jing)體(ti)。工業碳(tan)化硅因所含雜質的種(zhong)類和含量不(bu)(bu)同,而(er)呈淺黃、綠、藍乃(nai)黑色,透明(ming)度隨其純(chun)度不(bu)(bu)同而(er)異。碳(tan)化硅晶(jing)體(ti)結構分為六方或菱面體(ti)的α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一種(zhong)碳(tan)化硅納(na)米纖(xian)維(wei)(wei)的(de)(de)制(zhi)(zhi)備(bei)方(fang)法(fa),它涉及一種(zhong)陶瓷纖(xian)維(wei)(wei)的(de)(de)制(zhi)(zhi)備(bei)工(gong)藝(yi)。為(wei)了解決現有(you)方(fang)法(fa)纖(xian)維(wei)(wei)的(de)(de)雜質含量極(ji)低,纖(xian)維(wei)(wei)的(de)(de)直(zhi)徑在20~200nm之(zhi)間,長度(du)在幾個毫米之(zhi)間,表面光滑,。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年3月19日-1041CN200810050205.5一(yi)種高純超(chao)細碳(tan)化(hua)硅微粉回收提(ti)純分級技術(shu)1042CN1190CN200910228151.1應用X射線(xian)熒光光譜法檢(jian)測碳(tan)化(hua)硅雜質含量的方法1191CN。

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一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊(fang)凱華碳化硅微粉(fen)生產各種型(xing)號碳化硅微粉(fen),碳化硅超細微粉(fen),純度(du)高、粒型(xing)好、更穩定,用于反(fan)應燒(shao)結、五壓燒(shao)結、硅碳棒新工藝(yi)、研磨拋(pao)、光防腐、涂(tu)腐、尾氣處(chu)理(li)(DPF)。

碳化硅生產及應用技術(3)500項-阿里巴巴創業資訊

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碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年5月26日-摘(zhai)要:采(cai)用納(na)米碳化硅(nm-SiC)對氰酸酯樹脂(CE下抽真空4h,除去吸(xi)附(fu)的水分及小分子雜(za)質(zhi),密(mi)封納(na)米SiC:粒(li)徑4060nm,灰綠色超細(xi)粉末,合肥。

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