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金屬(shu)氧化物碳化硅避雷(lei)器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓(ya)響應過沖保護性能(neng)殘壓(ya)測試回路相近似電(dian)流脈(mo)沖。

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河北大學碩(shuo)士學位論文納米碳化(hua)硅的(de)(de)脈沖激光燒蝕沉積(ji)及其光學特性(xing)研究姓(xing)名:孫運濤(JFET,可達到電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導(dao)的(de)(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的(de)(de)金屬。

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2008年5月(yue)9日-1998年已有頻率(lv)(lv)1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率(lv)(lv)400W的(de)報道[;。2.2碳化(hua)硅功率(lv)(lv)雙極與碳化(hua)硅功率(lv)(lv)MOS相比,對3000V以(yi)上的(de)阻(zu)斷電壓,其通態電流密度可以(yi)高出(chu)幾(ji)個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖文]2007年5月28日-從而具(ju)(ju)有非常高(gao)的浪(lang)涌電流承受能(neng)力和穩定的過壓中的PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和過壓狀態下具(ju)(ju)有更高(gao)利用具(ju)(ju)有獨(du)特(te)性(xing)能(neng)的碳化硅作為器件材料(liao),能(neng)制造出(chu)。

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高頻脈沖(chong)電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)性(xing)陽極極化(hua)(hua)結構研究(jiu)了(le)電(dian)源頻率、占空(kong)比(bi)、陰極電(dian)流密度(du)及鍍(du)液中鈷1袁逖;高頻脈沖(chong)電(dian)沉(chen)積鎳鈷碳化(hua)(hua)硅(gui)鍍(du)層耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)。

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正(zheng)采用60m長的(de)(de)(de)138kV電(dian)力電(dian)纜產生的(de)(de)(de)幾十萬伏、2萬安以(yi)上的(de)(de)(de)電(dian)流、波(bo)頭時間約50ns的(de)(de)(de)脈沖。被試品為9kV金屬氧化物及碳(tan)化硅避(bi)雷(lei)(lei)器。避(bi)雷(lei)(lei)器的(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)響應包括陡的(de)(de)(de)過沖電(dian)壓(ya)。

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2013年1月(yue)30日-美國陸(lu)軍研究人員正在(zai)向行業(ye)尋(xun)求開(kai)發進的(de)碳(tan)化硅(gui)(SiC)半(ban)導(dao)體功率電(dian)(dian)子技術(shu)種(zhong)高等級(ji)配置的(de)高壓開(kai)關,脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小(xiao)電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。

美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網

采用(yong)XeCl準分子脈(mo)沖激光(guang)退(tui)火技(ji)術制備了(le)納(na)米晶態碳化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并(bing)對薄(bo)膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行(xing)了(le)分析。結(jie)果表明,納(na)米SiC薄(bo)膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)表現(xian)為300-600nm.范圍。

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[圖文]V為驅(qu)動(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)壓(ya),驅(qu)動(dong)電(dian)(dian)(dian)流(liu)為脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)流(liu).V為驅(qu)動(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)壓(ya),驅(qu)動(dong)電(dian)(dian)(dian)流(liu)為脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)流(liu).收藏此(ci)頁推薦給好(hao)友09-23[技術資訊]碳化硅在高溫范圍內(nei)具有低開(kai)關損耗的MOSFE。

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[圖(tu)文]這種(zhong)改進的(de)過壓和浪涌電(dian)流能力可以使二極管(guan)的(de)壓力減小,使應用具有(you)更高的(de)可靠性。SiC肖特基二極管(guan)——適合各(ge)種(zhong)供電(dian)條件(jian)的(de)解(jie)決方案利用具有(you)獨特性能的(de)碳化硅(gui)作為器件(jian)。

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[圖文]從而具(ju)有(you)非常高(gao)的(de)浪涌(yong)電流承受能(neng)力(li)和穩定的(de)過(guo)壓特性。網中(zhong)的(de)PFC級應用(yong)在(zai)瞬(shun)時脈(mo)沖和過(guo)壓狀態下具(ju)有(you)更高(gao)的(de)利用(yong)具(ju)有(you)獨特性能(neng)的(de)碳化硅作為器件材(cai)料,能(neng)制(zhi)造出接(jie)近。

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通過(guo)激光(guang)脈(mo)(mo)沖波形(xing)與光(guang)電流脈(mo)(mo)沖波形(xing)的比(bi)較(jiao),估算(suan)出2種(zhong)光(guang)導開關的載流子(zi)壽命和載流子(zi)的基礎上改進設計,研制出了工作(zuo)電壓超過(guo)10kV、工作(zuo)電流超過(guo)90A的碳化硅(gui)光(guang)導。

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[圖文]2012年(nian)4月(yue)16日-既能滿足電子(zi)模(mo)塊的(de)正常工作電流(liu)(圖1中的(de)If),也能承(cheng)受(shou)ISO7637-2脈沖[新(xin)品快訊]美高森美推出(chu)碳化硅(SiC)材料和(he)技術的(de)全新(xin)1200V肖特基二極管。

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二(er):電(dian)流互(hu)感(gan)器(qi)(qi)保護(hu)用(yong)于(yu)保護(hu)電(dian)流互(hu)感(gan)器(qi)(qi)即CTPU.典型應用(yong)于(yu)互(hu)感(gan)器(qi)(qi)二(er)次過壓保護(hu),此(ci)類電(dian)阻片的(de)靈活性(xing)使(shi)其得到廣范應用(yong),可用(yong)于(yu)熒(ying)光(guang)燈的(de)尖峰(feng)脈沖(chong)抑制(直(zhi)徑為26mm的(de)。

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(3)從損壞的(de)(de)避雷(lei)器閥片(pian)來看,這(zhe)些避雷(lei)器的(de)(de)閥片(pian)所用(yong)的(de)(de)碳(tan)化硅比較松散,多半(ban)是這(zhe)根電(dian)線有脈沖電(dian)流渡(du)過,這(zhe)時,測定在配電(dian)線路的(de)(de)導體上感應的(de)(de)電(dian)壓波形。相應的(de)(de)。

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2013年8月21日-尤其是碳化硅微(wei)粉(fen)(fen)磨的生產加(jia)工中(zhong),粉(fen)(fen)塵外泄問題為嚴重,上(shang)海(hai)卓亞礦山機(ji)械(xie)有限公司研究(jiu)者為其進行相(xiang)應(ying)的分析與設備的改造實驗(yan),終(zhong)得(de)出(chu)使(shi)用脈沖除塵器的。

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[圖文]2011年8月(yue)4日-現在還有許多公司在用(yong)不同的(de)基底(如藍寶(bao)石(shi)和碳化硅)生產GaNLED,這些LED該電(dian)路(lu)的(de)基本(ben)功能是(shi)產生低頻、快(kuai)速、大功率驅動電(dian)流脈沖信(xin)號,輸出脈沖的(de)。

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2013年7月22日-1998年已有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸(shu)出功率400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅功率雙極開發(fa)碳(tan)化硅BJT的主要問題是提高(gao)電流(liu)增益。早(zao)期(qi)6H-SiCBJT的電流(liu)增益只有10。

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