金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化物(wu)碳(tan)化硅避雷器電力電纜電壓響(xiang)應過沖保護性能(neng)殘壓測試(shi)回路相近(jin)似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖(chong)激光(guang)(guang)退(tui)火(huo)納米碳化硅(gui)(gui)的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)于威,何(he)杰,孫運濤,韓理,在(zai)電流激發方(fang)面存在(zai)較大困(kun)難,因此對碳化硅(gui)(gui)發光(guang)(guang)材料的制備及發光(guang)(guang)特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大(da)學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位論(lun)文納米碳化(hua)硅(gui)的(de)脈沖(chong)激(ji)光(guang)燒蝕沉(chen)積及(ji)其(qi)光(guang)學(xue)(xue)特(te)性研究姓名(ming):孫運濤(JFET,可達(da)到(dao)電(dian)流(liu)水平(ping)400mA/mm,電(dian)導的(de)指(zhi)標lOOmS/mm)以及(ji)用(yong)6H—SiC制作的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)5月9日-1998年(nian)已有(you)頻(pin)率(lv)(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功(gong)率(lv)(lv)400W的報(bao)道[;。2.2碳化硅(gui)功(gong)率(lv)(lv)雙極(ji)與碳化硅(gui)功(gong)率(lv)(lv)MOS相比,對3000V以上(shang)的阻斷電(dian)(dian)壓,其通態電(dian)(dian)流密度可以高(gao)出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖(tu)文]2007年5月28日-從而具(ju)有(you)非常(chang)高的(de)浪(lang)涌電流承受(shou)能(neng)(neng)力和穩定的(de)過壓中的(de)PFC級應用在(zai)瞬時(shi)脈沖(chong)和過壓狀態下(xia)具(ju)有(you)更高利用具(ju)有(you)獨特(te)性能(neng)(neng)的(de)碳化硅作為器件(jian)材料(liao),能(neng)(neng)制(zhi)造出(chu)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻(pin)脈沖電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽(yang)極極化結(jie)構研(yan)究了電(dian)源頻(pin)率、占空(kong)比、陰極電(dian)流密(mi)度及鍍液中鈷(gu)1袁逖(ti);高頻(pin)脈沖電(dian)沉積鎳鈷(gu)碳(tan)化硅(gui)鍍層耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用(yong)60m長的(de)138kV電力電纜產(chan)生的(de)幾十萬伏(fu)、2萬安以(yi)上(shang)的(de)電流、波頭時(shi)間約50ns的(de)脈沖。被試品為(wei)9kV金屬氧化物(wu)及碳化硅避雷(lei)器。避雷(lei)器的(de)電壓(ya)響應包括陡的(de)過沖電壓(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美(mei)國陸軍研究(jiu)人員(yuan)正在向行業尋求開發進的碳化硅(gui)(SiC)半導體功(gong)率電(dian)子技術種高等級配置的高壓(ya)開關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用(yong)XeCl準(zhun)分子脈(mo)沖激光退火技術制備了納米(mi)晶態碳化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的光致(zhi)發(fa)光(PL)特性進行了分析。結果表(biao)明,納米(mi)SiC薄(bo)膜(mo)的光致(zhi)發(fa)光表(biao)現(xian)為(wei)300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文(wen)]V為(wei)驅(qu)動脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)壓(ya),驅(qu)動電(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)流(liu).V為(wei)驅(qu)動脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)壓(ya),驅(qu)動電(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)流(liu).收(shou)藏此(ci)頁推薦給好友09-23[技術資訊]碳化硅在(zai)高(gao)溫范(fan)圍內具(ju)有低開關(guan)損耗(hao)的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)改進的(de)過壓和浪涌電(dian)流能力可以使二(er)極管的(de)壓力減小,使應用具(ju)有(you)更高的(de)可靠性。SiC肖特基(ji)二(er)極管——適合各種(zhong)供電(dian)條件的(de)解決方案利(li)用具(ju)有(you)獨(du)特性能的(de)碳化硅作為器(qi)件。
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諸暨市特耐工程(cheng)陶瓷有(you)限公司碳(tan)化硅(gui)脈沖(chong)類型:脫(tuo)硫除(chu)塵(chen)器林格曼黑(hei)度:3級品(pin)牌:帕特納型號(hao):碳(tan)化硅(gui)噴嘴脫(tuo)硫率:97(%)除(chu)塵(chen)率:96(%)阻(zu)力(li)損失(shi):-(Pa),環球貿易網為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年(nian)8月(yue)17日-0405SC-2200M碳化硅晶(jing)體(ti)管,射頻峰(feng)值功率(lv)達2200瓦,可用于(yu)大功率(lv)超高(gao)(gao)頻脈沖(chong)系統的另一些優(you)點包括簡化阻(zu)抗匹配,125伏(fu)的操縱(zong)電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流,高(gao)(gao)峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖(chong)方法制備(bei)碳/碳化硅復(fu)合材料界(jie)面的微觀結構與性(xing)能(neng)研(yan)究袁明,黃政(zheng)仁,董紹(shao)明,朱云洲,江(jiang)東亮(liang)中國科學院上(shang)海(hai)硅酸鹽研(yan)究所,上(shang)海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學碩士學位(wei)論文(wen)納米碳(tan)化(hua)硅(gui)的脈沖激光(guang)(guang)燒蝕沉積及(ji)其(qi)光(guang)(guang)學特性研究姓名:孫(sun)運濤申請(qing)學位(wei)級別:碩士專業(ye):光(guang)(guang)學指導教師:于威20030101摘要本工作采用脈沖激光(guang)(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年(nian)1月30日(ri)-美(mei)國陸軍研究人員正(zheng)在向行業尋求開發進的(de)碳(tan)化硅(SiC)半導體功率電子技術(shu)種高等(deng)級配(pei)置的(de)高壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從而具有非常高(gao)(gao)的(de)浪涌電流承受(shou)能力和穩定的(de)過壓特性(xing)。網中的(de)PFC級應用(yong)(yong)在瞬(shun)時脈沖(chong)和過壓狀態下具有更高(gao)(gao)的(de)利用(yong)(yong)具有獨特性(xing)能的(de)碳化硅作為器件材料,能制造出接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過激(ji)光(guang)脈(mo)沖(chong)波形與光(guang)電流脈(mo)沖(chong)波形的(de)比較,估(gu)算出(chu)2種光(guang)導(dao)開(kai)關的(de)載(zai)流子壽命(ming)和載(zai)流子的(de)基礎(chu)上改(gai)進設計,研制(zhi)出(chu)了工作電壓超過10kV、工作電流超過90A的(de)碳化硅光(guang)導(dao)。
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2008年9月26日-這些測試包(bao)括(kuo)使用1祍(祍)脈沖,開(kai)關時間比(bi)為1000,在“開(kai)”狀態驅(qu)動電流是100本文鏈接(jie):碳化硅電子:全球(qiu)協(xie)會提倡SiC高頻(pin)PI:/news。
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[圖文]GaN器件包(bao)含五項(xiang)重(zhong)要特征:高介電(dian)強度(du)、高工作溫(wen)度(du)、大(da)電(dian)流密度(du)、高開關速度(du),如何在高效(xiao)脈沖跳頻模式下選(xuan)擇輸出(chu)濾波(1)智能(neng)電(dian)視前(qian)進(jin)路上的(de)三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增(zeng)強型(xing)碳(tan)化(hua)硅縱向結型(xing)場效應晶體(ti)管功率模塊(kuai)《電(dian)力電(dian)子(zi)》2011年第4期開關(guan)測(ce)試采用了標準的雙脈沖(chong)感性負載(zai)電(dian)路,在600V、100A、溫度分別為25℃和(he)150。
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阿里(li)(li)巴(ba)巴(ba)大(da)量(liang)供應(ying)碳化硅超細磨(mo)碳化硅專用(yong)磨(mo)碳化硅微粉磨(mo)脈沖除塵器-金屬(shu)硅磨(mo)粉,,這里(li)(li)云集了眾多的供應(ying)商(shang),采(cai)購商(shang),制(zhi)造商(shang)。這里(li)(li)大(da)量(liang)供應(ying)碳化硅超細磨(mo)碳化硅專用(yong)磨(mo)。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年4月16日-既能(neng)滿足電子模塊的正常工作電流(liu)(圖1中的If),也能(neng)承受ISO7637-2脈沖[新品(pin)快訊]美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200V肖(xiao)特基二(er)極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文(wen)]標簽:600509石(shi)墨(mo)烯(xi)碳化硅背景資料老孟股票(piao)具有電(dian)荷這種性質(zhi),電(dian)荷的傳導能夠形成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為(wei)電(dian)子采用脈(mo)沖電(dian)子輻(fu)照(zhao)技術在SiC基底上外延石(shi)墨(mo)烯(xi)是我(wo)們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電(dian)流互感器(qi)保護(hu)用(yong)于保護(hu)電(dian)流互感器(qi)即CTPU.典型應(ying)用(yong)于互感器(qi)二次過壓保護(hu),此類電(dian)阻片(pian)的靈活(huo)性使其得到廣范應(ying)用(yong),可用(yong)于熒光燈的尖峰脈沖抑制(直徑(jing)為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)避雷器閥片來(lai)看,這(zhe)些避雷器的(de)閥片所用(yong)的(de)碳(tan)化硅比(bi)較(jiao)松散,多半是這(zhe)根電線有脈沖電流渡(du)過,這(zhe)時,測定(ding)在配電線路的(de)導體上感應的(de)電壓波形。相(xiang)應的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是碳化硅微粉(fen)(fen)磨的生產(chan)加工中(zhong),粉(fen)(fen)塵(chen)外泄問題為嚴重,上海(hai)卓亞(ya)礦山機械有限(xian)公司(si)研究者為其進行相應的分(fen)析與設(she)備的改造實(shi)驗,終(zhong)得(de)出(chu)使(shi)用脈沖除(chu)塵(chen)器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文]2011年8月(yue)4日(ri)-現在(zai)(zai)還有許多(duo)公司在(zai)(zai)用不同的基(ji)(ji)底(如藍寶石(shi)和碳化(hua)硅)生產GaNLED,這些(xie)LED該電(dian)(dian)路的基(ji)(ji)本(ben)功能是產生低頻(pin)、快速、大(da)功率驅動電(dian)(dian)流脈沖(chong)信號,輸出脈沖(chong)的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有(you)頻率1.3GHz,脈沖(chong)輸出功率400W的報道[;。2.2碳化硅(gui)(gui)功率雙極(ji)開發碳化硅(gui)(gui)BJT的主要問題是提高電流增(zeng)益。早(zao)期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖(chong)袋式(shi)除塵器,分號(hao)機(ji)(ji),粉碎機(ji)(ji),氣流磨,青島精(jing)華PZ粉碎機(ji)(ji)的用途及適應范圍:化(hua)工等(deng)物科的粉碎,尤其適用于(yu)碳化(hua)硅(gui)、剛玉、石(shi)(shi)英、烙煉石(shi)(shi)英、石(shi)(shi)餾(liu)石(shi)(shi)等(deng)物科的粉碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅顆(ke)粒化學鍍鎳(nie)對鐵基復(fu)合材(cai)料(liao)性能的影響張躍波1,宗亞平1,曹新建1,張龍(long)21.東北大(da)學材(cai)料(liao)各向異性與織構教(jiao)育部(bu)實(shi)驗(yan)室(shi)沈陽1108192.金策工業綜合。