碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷(ci)材料等離子發(fa)射(she)光譜法微量雜質元素測(ce)定微電子工業發(fa)動機雜質分析高溫技術聚變(bian)裝置(zhi)微量元素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲(di)化鉛(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫化鉛(PbS)、碳化硅(SiC)等。與金屬材料(liao)不同,半導體中雜質含量和(he)外界條件的(de)改變(如溫度(du)變化、受光照射等),都會(hui)使半導體的(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化(hua)硅制品中的雜(za)質沒(mei)有任何一(yi)件事物(wu)是(shi)沒(mei)有雜(za)質的,即便(bian)是(shi)很多化(hua)學原(yuan)料或者經過(guo)多重步驟產生的高(gao)科(ke)技產品,所以,目(mu)前市場上出(chu)現的碳化(hua)硅產品也有很多雜(za)質。但(dan)是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明(ming)涉及一種應用(yong)X射線熒光光譜(pu)法檢測碳(tan)化(hua)硅雜質(zhi)含量的(de)方法,其步驟如下:1、制(zhi)(zhi)備測試(shi)樣(yang)片;2、制(zhi)(zhi)備標準樣(yang)片:①提純(chun)碳(tan)化(hua)硅的(de)制(zhi)(zhi)樣(yang);②碳(tan)化(hua)硅提純(chun),制(zhi)(zhi)備出純(chun)品碳(tan)化(hua)硅;③。
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現在的原料主(zhu)要(yao)成分是硅(gui)和碳化硅(gui)的混(hun)合物,里面含有少量鐵雜質(zhi),怎(zen)樣除去鐵,請各(ge)位賜(si)教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日(ri)-碳(tan)化(hua)硅晶(jing)體中的(de)雜質是:鐵(tie)、鋁、鈣(gai)、鎂、硅等的(de)氧化(hua)物和碳(tan)化(hua)物,以及(ji)它們的(de)共熔物。這些雜質在冶煉爐(lu)熱(re)動(dong)力條件下(xia),溫(wen)度在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化硅(gui)因其相(xiang)較α-碳化硅(gui)擁有更高的(de)(de)比表面積(ji),所(suo)以可用于非均相(xiang)催化劑(ji)的(de)(de)負載(zai)體(ti)。純的(de)(de)碳化硅(gui)是無色(se)的(de)(de),工業用碳化硅(gui)由于含有鐵等雜質而呈(cheng)現棕色(se)黑(hei)色(se)晶體(ti)。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開始時間(jian):結束時間(jian):雜質碳(tan)加工工藝-催化(hua)劑,二(er)氧化(hua)碳(tan),碳(tan)化(hua)硅,X射線,生產碳(tan)化(hua)硅版的出價(jia)/購買記(ji)錄Top一口價(jia):元該物品已下架立即(ji)購買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)(dao)熱(re)(re)率(lv):碳化硅制品的導(dao)(dao)熱(re)(re)率(lv)非(fei)常非(fei)常高,熱(re)(re)膨脹參數(shu)小(xiao)巧(qiao),抗(kang)熱(re)(re)震性非(fei)常非(fei)常高,是優(you)質的耐火材料。3、電(dian)學屬性恒溫下(xia)工業碳化硅是一種半導(dao)(dao)體,屬雜(za)質導(dao)(dao)電(dian)性。高純度。
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阿里(li)巴巴供(gong)(gong)應綠色(se)碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質(zhi)少硅(gui)含(han)量(liang)98.5河(he)南(nan)SIC碳(tan)化(hua)硅(gui)生產(chan)基地,研磨材料,這里(li)云集了(le)眾多(duo)的供(gong)(gong)應商(shang),采購(gou)商(shang),制造(zao)商(shang)。這是供(gong)(gong)應綠色(se)碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質(zhi)少硅(gui)含(han)量(liang)98.5河(he)南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
馬可波羅網(makepolo.)提供溫縣華泰果殼研磨濾料(liao)廠相關企業介(jie)紹及(ji)產品信息主要以(yi)綠色碳化(hua)硅硬(ying)度高(gao),雜(za)質少(shao)硅含量98.5優質碳化(hua)硅材料(liao)為主,還包括了綠色碳化(hua)硅。
雜質碳加工工藝-催化劑,二氧化碳,碳化硅,X射線,生產碳化硅版
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碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化硅中(zhong)雜(za)質的(de)形態-碳(tan)化硅中(zhong)雜(za)質的(de)形態碳(tan)化硅的(de)研發(fa)成功并很好(hao)的(de)利用是市場發(fa)展過程(cheng)中(zhong)的(de)一(yi)大進步點,特別是對(dui)于1893年艾奇遜的(de)發(fa)明為引子,由此推出的(de)國(guo)內由趙廣(guang)和。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳(tan)化硅(gui)在現代工業生產中的(de)應(ying)用范(fan)圍比(bi)較(jiao)廣泛,比(bi)較(jiao)為人們所了解的(de)是應(ying)用于磨料、磨具領域。但是隨著科學技(ji)術的(de)進步,人們對碳(tan)化硅(gui)的(de)認識(shi)也逐漸(jian)深入(ru),由此開發。
綠色碳化硅硬度高,雜質少硅含量98.5優質碳化硅材料價格,
碳(tan)化硅(gui)(SiC)是用石(shi)英砂(sha)、石(shi)油焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木屑為原料(liao)通(tong)過電阻爐(lu)高(gao)溫冶煉而成(cheng)。碳(tan)化硅(gui)在大自然也存在罕見的(de)礦物,莫桑(sang)石(shi)。碳(tan)化硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化硅;物理(li)性(xing)質(zhi)性(xing)狀:綠色藍(lan)黑色結晶性(xing)粉末.含雜質(zhi)的(de)碳(tan)化硅為綠色,固性(xing)狀:綠色藍(lan)黑色結晶性(xing)粉末.含雜質(zhi)的(de)碳(tan)化硅為綠色,固溶有炭和金屬氧化物雜質(zhi)呈黑色。密。
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論(lun)文天下提(ti)供的(de)<二次(ci)離子(zi)(zi)質譜分(fen)析(xi)碳化硅(gui)中(zhong)釩雜(za)質含量(liang)的(de)研究(jiu);論(lun)文包括碳化硅(gui)二次(ci)離子(zi)(zi)質譜釩摻雜(za)定量(liang)分(fen)析(xi)二次(ci)離子(zi)(zi)質譜分(fen)析(xi)離子(zi)(zi)注入樣品等其(qi)他(ta)相(xiang)關內容論(lun)文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年(nian)4月24日-碳化(hua)硅(gui)俗稱金(jin)剛(gang)石,又稱碳硅(gui)石,主要用作耐磨材(cai)料(liao),耐火材(cai)料(liao),核反應堆材(cai)料(liao)及制造電阻發熱硅(gui)碳棒(管(guan)(guan)),半導(dao)體元件(jian),C二級(ji)管(guan)(guan),晶體管(guan)(guan),電器元件(jian),火箭噴管(guan)(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領域:新能源光伏需(xu)求類型:技術(shu)服務需(xu)求編(bian)號:189-07制(zhi)粉是碳(tan)化硅微(wei)粉生產(chan)中的重要(yao)工序,但由于碳(tan)化硅的硬(ying)度較高,其莫氏硬(ying)度為9.5級,在莫氏硬(ying)度標準中僅低(di)于金剛(gang)石(shi)。
碳化硅-搜搜百科
本文(wen)采用(yong)ICP-MS法對高純碳化硅粉表面的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量(liang)雜(za)質進行測定,用(yong)氫(qing)氟酸溶液浸(jin)提(ti)試樣表面雜(za)質,用(yong)釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜質相的(de)(de)碳化硅(gui)鈦陶瓷粉(fen)體的(de)(de)合(he)成方法(fa),其特征在于:(1)以Ti粉(fen)、Si粉(fen)和(he)TiC本(ben)發明公(gong)開了一種低成本(ben)無TiC雜質相的(de)(de)碳化硅(gui)鈦陶瓷粉(fen)體的(de)(de)常(chang)壓合(he)成方法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙碳(tan)(tan)(tan)化硅有(you)限公司是一(yi)家擁(yong)有(you)國內先(xian)進的碳(tan)(tan)(tan)化硅微(wei)(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)(tan)化硅,綠碳(tan)(tan)(tan)化硅,綠碳(tan)(tan)(tan)化硅微(wei)(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)(tan)化硅微(wei)(wei)粉(fen),碳(tan)(tan)(tan)化硅粒度砂,生產線和(he)工藝技術,服務(wu)熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳化(hua)硅電力(li)電子(zi)器件研發進展與存在問題,1引(yin)言(yan)借助于(yu)微(wei)電子(zi)技(ji)術的長足發展,以(yi)硅器件為基礎(chu)的電力(li)電子(zi)技(ji)術因(yin)大功率場(chang)效應晶(jing)體管(功率MOS)和絕(jue)緣柵雙(shuang)極晶(jing)體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅(gui)。它一部分(fen)溶解于(yu)SiC晶體(ti)中,一部分(fen)與其雜質(如鐵(tie)、鋁、鈣等(deng))形成(cheng)合(he)金而粘附于(yu)晶體(ti)上或嵌在晶體(ti)中。2、游離二氧化硅(gui)。通常存在于(yu)晶體(ti)表面。大都是由于(yu)。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態(tai)施主(zhu)能(neng)級(ji)(ji)分裂對雜質電離的(de)(de)(de)影響,與溫度(du)、摻雜濃度(du)和雜質能(neng)級(ji)(ji)深(shen)度(du)的(de)(de)(de)關系(xi)進行了系(xi)統研究。發現只有在(zai)高溫且摻雜濃度(du)低的(de)(de)(de)情況下,能(neng)級(ji)(ji)分裂的(de)(de)(de)影響很(hen)小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析,郝(hao)小勇(yong);-陶瓷工程1998年第(di)03期(qi)在(zai)線閱讀、文章(zhang)下載(zai)。<正;l前言Si3N4結合SIC材料的研究近年來在(zai)國內發展較快,該(gai)。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析(xi)了Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材(cai)料(liao)反應燒(shao)(shao)結(jie)(jie)時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反應行為。氮化硅結(jie)(jie)合(he)碳化硅材(cai)料(liao)反應燒(shao)(shao)結(jie)(jie)時(shi)的雜質相行為分析(xi)前(qian)言:分析(xi)了Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材(cai)料(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使(shi)用(yong)的(de)切割(ge)(ge)液和碳化硅微(wei)粉(fen)在線(xian)切割(ge)(ge)過程中,砂漿(jiang)中不可避免的(de)會(hui)混入硅粉(fen)、鐵、高聚(ju)物(wu)等雜質,部分碳化硅微(wei)粉(fen)也會(hui)因切割(ge)(ge)作用(yong)而出現破損,產生的(de)廢(fei)砂漿(jiang)很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮(dan)化硅(gui)結(jie)(jie)合(he)碳化硅(gui)材料反應(ying)(ying)燒結(jie)(jie)時(shi)的雜質(zhi)(zhi)相行(xing)(xing)為(wei)分析-分析了Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材料反應(ying)(ying)燒結(jie)(jie)時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)(zhi)相的反應(ying)(ying)行(xing)(xing)為(wei)。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅(gui)質泡(pao)沫陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)片(pian),去孔,濾(lv)渣,吸附雜質泡(pao)沫陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)片(pian)簡介泡(pao)沫陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)器的過(guo)濾(lv)機理:整流(liu)作(zuo)用:在澆鑄系統中放(fang)置(zhi)泡(pao)沫陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)片(pian)后,金屬液(ye)流(liu)阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄(zhu)泰碳(tan)素(su)有(you)限(xian)公(gong)司碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)簡介:碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)英文名稱(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)金剛砂(sha)。純碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)是無色透明的(de)晶體。工業(ye)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)因所含雜質的(de)種類和含量不同,而呈淺(qian)黃、綠、藍。