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2008年(nian)1月25日-碳化硅制(zhi)造過程產生(sheng)粉塵(chen)的作(zuo)業點較(jiao)多。粉塵(chen)的作(zuo)業點是冶煉干法扒料,焦炭加(jia)工(gong)及制(zhi)粒(li)工(gong)序取(qu)密閉(bi)除塵(chen)方法,裝爐工(gong)序采(cai)取(qu)濕料作(zuo)業方法,獲得了極。

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本發明提供一(yi)種碳化(hua)硅單晶(jing)(jing)的(de)(de)制(zhi)造方法,在(zai)使碳化(hua)硅單晶(jing)(jing)在(zai)單晶(jing)(jing)基(ji)板(ban)上外(wai)延(yan)生(sheng)長時,能夠減(jian)少(shao)在(zai)碳化(hua)硅單晶(jing)(jing)內產生(sheng)的(de)(de)表面(mian)缺陷。該方法是在(zai)單晶(jing)(jing)基(ji)板(ban)(1)的(de)(de)表面(mian)使碳化(hua)硅單晶(jing)(jing)層外(wai)延(yan)。

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摘要:介(jie)紹了采(cai)用振動加壓成型制(zhi)作(zuo)碳化(hua)硅塔(ta)盤的生(sheng)產(chan)工藝(yi)(yi)、技(ji)術條件及生(sheng)產(chan)實踐。6周(zhou)杰倫;復(fu)合碳化(hua)硅質窯爐燒(shao)嘴制(zhi)作(zuo)的工藝(yi)(yi)流程[N];廣東建設報;2002年7肖。

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具有加(jia)工(gong)成(cheng)本低,無開口氣孔(kong)、耐化(hua)學腐(fu)蝕的特點,由于(yu)在燒成(cheng)過程中碳(tan)(tan)化(hua)硅的,增(zeng)加(jia)004制造晶片用的碳(tan)(tan)化(hua)硅舟的切(qie)割制造方法3003一(yi)種制備碳(tan)(tan)化(hua)硅纖(xian)維(wei)或織物的方法。

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(1)一種(zhong)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)襯底(di)的(de)(de)(de)制(zhi)造方(fang)法,該方(fang)法是(shi)將碳(tan)原子和硅(gui)(gui)原子供給碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)襯底(di)的(de)(de)(de)表面上(shang)來使碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)生(sheng)長的(de)(de)(de)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)襯底(di)的(de)(de)(de)制(zhi)造方(fang)法,其特征在于:上(shang)述碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)的(de)(de)(de)生(sheng)長開始(shi)前(qian)的(de)(de)(de)。

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2011年10月18日-為了說明振動篩(shai)(shai)在(zai)實際操作(zuo)中的應用(yong),特舉(ju)其(qi)在(zai)碳化硅微粉(fen)(fen)生產工藝(yi)中的應用(yong)為例。振動篩(shai)(shai)在(zai)這一過程中所起(qi)的作(zuo)用(yong):1、篩(shai)(shai)分:篩(shai)(shai)分是(shi)把顆粒、粉(fen)(fen)末分成。

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本套《硅碳棒生產方(fang)法(fa),硅碳材料加工,碳化硅制(zhi)造工藝(yi)(yi)技術(shu)》均為原(yuan)版全文說明書;其中(zhong)發明含(han)詳細的材料配(pei)方(fang)、生產方(fang)法(fa)、制(zhi)作步驟等,實用新型以設備工藝(yi)(yi)。

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017新型聚碳硅(gui)烷(wan)組合(he)物其制法(fa)以及在碳化硅(gui)為基(ji)礎的產品和陶(tao)瓷制品生產過程(cheng)中的102用于清洗碳化硅(gui)顆(ke)粒(li)的方法(fa)133一種高耐溫性碳化硅(gui)纖(xian)維的制造方法(fa)115逆(ni)反(fan)應。

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2008年(nian)11月(yue)20日-新(xin)疆龍海(hai)新(xin)型碳化硅(gui)制造(zao)工藝通過(guo)(guo)驗收2008年(nian)112007年(nian)以前,公(gong)司在冶(ye)煉碳化硅(gui)過(guo)(guo)程往(wang)往(wang)會發生爐床透氣性不(bu)好、影響產量等。

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共找(zhao)到(dao)2000條碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)制品(pin)制作(zuo)工藝探供應信息,以下是(shi)第1到(dao)20條:碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)(wei)粉碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)制品(pin)碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)(wei)粉碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)制品(pin)綠碳化(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)(wei)粉用于單晶硅(gui)(gui)、多晶硅(gui)(gui)。

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2012年(nian)6月25日(ri)-我(wo)廠(chang)(chang)隸屬冶金工業部,由硅(gui)碳(tan)棒(bang)制造廠(chang)(chang)、硅(gui)碳(tan)棒(bang)技術開發研究所、工業陶瓷廠(chang)(chang)和碳(tan)化硅(gui)制品廠(chang)(chang)組(zu)合而成,是國家(jia)(jia)指定的硅(gui)碳(tan)棒(bang)生產廠(chang)(chang)家(jia)(jia)。具有(you)碳(tan)化硅(gui)保護管(guan)熱電(dian)偶。

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2013年(nian)3月19日-1009CN200810195186.5一種制作基本(ben)上(shang)沒有臺階1024CN200780015978.3鋁(lv)-碳(tan)化硅質復合(he)體及其(qi)加工4額定值(zhi)法(fa)控制碳(tan)化硅冶煉爐(lu)系統(tong)生(sheng)產過(guo)程的節電。

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買(mai)家評價(jia)(0)評價(jia)評價(jia)人還沒有買(mai)家對碳化硅與氮(dan)化鎵間(jian)的緩沖結構及由此得(de)到的半(ban)導制(zhi)作氮(dan)化鎵加工流程進行(xing)評價(jia)。

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機械(xie)攪拌和真空(kong)旋轉蒸(zheng)發等(deng)過程(cheng),將銅(tong)均勻(yun)、致密地包裹(guo)到碳化硅(gui)顆粒表面(mian),從而獲得(de)首先(xian)根據制件(jian)實際要求,設計及加工(gong)聚(ju)乙烯泡沫(mo)模(mo)具,把酚醛(quan)樹脂混合物(wu)澆(jiao)注(zhu)到模(mo)具中(zhong),。

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生(sheng)長碳(tan)化硅(gui)(gui)加工制(zhi)造遷移性的(de)碳(tan)化硅(gui)(gui)使用(yong)碳(tan)化硅(gui)(gui)碳(tan)化硅(gui)(gui)薄類(lei)技(ji)術舉(ju)報此商(shang)品商(shang)品主本發明制(zhi)備(bei)出的(de)SiC納米纖維的(de)主要(yao)晶相為結晶程度較高的(de)β-SiC,由于在生(sheng)長過(guo)程中。

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2007年7月6日-然(ran)后(hou)用F46含氟塑料等進行密封絕緣(yuan)加工(gong).該電(dian)(dian)有耐高溫(250℃)抗腐能力(li)的(de)碳化硅電(dian)(dian)極的(de)材料的(de)選擇,以及不銹鋼指示電(dian)(dian)極和碳化硅參比電(dian)(dian)極的(de)制(zhi)作(zuo)工(gong)藝,。

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2013年(nian)3月(yue)19日-CN201110121351.4一種刻(ke)面碳(tan)化硅寶石成品的加(jia)工545CN201010156398.X碳(tan)化硅基復(fu)合(he)襯底及其制造(zao)方法802CN201020615210.9碳(tan)化硅非線性電阻滅磁過(guo)程(cheng)中。

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公(gong)司將致力(li)于不斷提高碳(tan)化硅晶(jing)體的(de)質量,以及(ji)大尺寸碳(tan)化硅晶(jing)體的(de)研發,將進(jin)的(de)碳(tan)化硅晶(jing)體生(sheng)長和(he)(he)加工技術產業化,大規模生(sheng)產和(he)(he)銷售具有自主知識產權的(de)碳(tan)化硅晶(jing)片(pian),促進(jin)。

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椅企(qi)業(ye),我以前沒做過(guo)這方(fang)面(mian)的(de)工作(zuo)(zuo),想了解一下(xia)鋼管折疊椅制(zhi)作(zuo)(zuo)工藝及制(zhi)造流(liu)程344碳化硅陶瓷和(he)金(jin)剛(gang)石復合拉拔模具制(zhi)備(bei)方(fang)法345一種醫用鎂合金(jin)細徑薄壁管材的(de)溫態。

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的(de)全過程,機械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝流(liu)程是工(gong)件或(huo)者零(ling)件制造加(jia)工(gong)的(de)步驟,采用機械(xie)加(jia)工(gong)的(de)方法,同時由于生產(chan)效率高得多,如果使用得當,一塊可頂數十塊甚(shen)上百塊碳化(hua)硅砂輪(lun)。

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的輪(lun)盤上(shang)(shang),以腳(jiao)、手撥動,借輪(lun)盤旋轉力量制作各(ge)種圓形的陶瓷(ci)器(qi)物(wu)或(huo)對陶器(qi)進(jin)行加工(gong)明燒時把陶、瓷(ci)坯放(fang)在碳化硅板或(huo)莫來石板上(shang)(shang),用支柱(狗(gou)腳(jiao))作支撐(cheng),一(yi)層(ceng)一(yi)層(ceng)。

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4在用于半導體器件的硅(gui)(gui)或(huo)碳化(hua)硅(gui)(gui)上形成厚氧化(hua)物的工(gong)藝[技(ji)術摘要]通過使淀積在53低溫高硅(gui)(gui)炻(shi)瓷及其(qi)(qi)制作工(gong)藝54加(jia)熱(re)接(jie)著型硅(gui)(gui)膠散熱(re)片及加(jia)工(gong)其(qi)(qi)的工(gong)藝流程55一。

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隨后關掉電(dian)源自然降(jiang)溫,整個過程通氬氣保(bao)護,在材(cai)料表面有(you)一(yi)層產物,即為碳(tan)(tan)化硅(gui)納米用于檢測(ce)在半導體加(jia)工系統中的(de)氟或鹵素(su)物質的(de)涂(tu)鎳自立式碳(tan)(tan)化硅(gui)結構(gou)及其制(zhi)造和。

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[圖文]2011年(nian)8月21日-近幾年(nian)人們制(zhi)造LED芯片過程中首先(xian)在襯底上制(zhi)作氮化??(GaN)基的外(wai)延(yan)片(外(wai)延(yan)片),外(wai)延(yan)片所需的材料(liao)源(yuan)(碳化硅(gui)SiC)和各(ge)種高純的氣體如氫氣H2或?迤?Ar。

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2005年(nian)6月12日-制造加工供(gong)求區(qu)(qu)元器(qi)件(jian)(jian)供(gong)求區(qu)(qu)其他(ta)服務(wu)供(gong)求區(qu)(qu)行(xing)業QQ群專版足行(xing)天下以(yi)及(ji)可靠性等問題仍對(dui)其商品化有所限制,但碳(tan)化硅器(qi)件(jian)(jian)替代硅器(qi)件(jian)(jian)的過(guo)程已經。

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從事(shi)生(sheng)產無機(ji)非金屬材料及其制(zhi)品的公司,其主要產品有(you)(you)碳化(hua)硅微粉、碳化(hua)硅制(zhi)品、碳化(hua)并承(cheng)接各種燒結(jie)爐的制(zhi)作、加工、維修、服務(wu)。為省、市(shi)級高新技術企(qi)業,并擁有(you)(you)自(zi)營。

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2012年7月26日-中常用的四種反(fan)射鏡鏡體(ti)材料———ULE,Zerodur,鈹(Be)和碳化(hua)硅(Sic)的在制造和加工過程(cheng)中,為了防止毒性給人帶來的影響,需要(yao)采取(qu)一系列的防護(hu)。

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3、按作(zuo)業(ye)指導書及(ji)相應流程對(dui)待檢(jian)(jian)樣品進行(xing)檢(jian)(jian)驗(yan)、清理,檢(jian)(jian)驗(yan)前(qian)以及(ji)檢(jian)(jian)驗(yan)過程中認真臨沂市金蒙碳化硅有限公司公司類型:民營(ying)企業(ye)所屬行(xing)業(ye):加工制造(原料加工/。

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常用的襯底主(zhu)要有藍寶石(shi)、碳化硅和硅襯底,還有GaAs、AlN、ZnO等材(cai)料。MOCVD是主(zhu)要因(yin)素表(biao)現(xian)為:制造過程中作業(ye)加工程序動作不優化,可省(sheng)略、替代、重組或合并(bing)的。

碳化硅制品碳化硼制品。并承接各種燒結爐的制作加工維修

電極制(zhi)作設(she)備(bei):光刻機(ji)(ji)(ji)、刻蝕機(ji)(ji)(ji)、離(li)子注入機(ji)(ji)(ji)等(deng)。襯底(di)(di)加工設(she)備(bei):減薄機(ji)(ji)(ji)、劃(hua)片機(ji)(ji)(ji)4、藍寶石襯底(di)(di)與碳化硅襯底(di)(di)的LED芯(xin)片4、三(san)種襯底(di)(di)的性能比較三(san)、LED外延片的。

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2013年4月16日-輥道窯用碳化硅(gui)(gui)輥棒(bang)及其制造方法,它是由碳化硅(gui)(gui)、氧化硅(gui)(gui)、氧化鋁、氧化鎂(mei)、工(gong)業(ye)漿糊(hu)、黃糊(hu)精為原料(liao),采用冷(leng)擠制,冷(leng)等靜壓,高(gao)溫燒成。所述的碳化硅(gui)(gui)輥。

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